четверг, 30 декабря 2021 г.

IBM и Samsung готовы преодолеть барьер 1 нм

 Компания IBM совместно с Samsung разработала технологию вертикального размещения транзисторов в кристаллах кремния, при помощи которой основанные на ней процессоры смогут стать гораздо более производительными.

Комментариев нет:

Отправить комментарий